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HARRIS（RCA）SEMICONDUCTOR

1. 运放

H FA 1100 I B

“FA”代表-------产品系列

“I”代表-------温度范围

“B” 代表-------封装形式

温度

C -55℃ --+200℃ I -55℃ --+125℃ M -25℃ -- +85℃

管芯、大圆片的尾缀标识 Y 管芯 H HARRIS F 产品系列 FA 超高速模拟

2. 模拟 (A 模拟)

H A 7 5147 -5

“A”代表-------产品系列

“7”代表-------封装形式

“-5”代表-------温度范围

温度

2 -55℃ --+125℃

4 -25℃ -- +85℃

5 0℃ -- +75℃

7 高可靠民品 0℃ -- +75℃

　 96小时老化测试

9 -25℃ -- +85℃

管芯、大圆片的尾缀标识

0 管芯

3. 线性电路 CA

4. XXX XXXX X X X X / XXXX

a b c d e f g

a------产品系列

b------基本器件型号变化

c------电测试选项

d------温度范围

e------封装形式

f-------管脚

g------高REL设计

产品系列

ICL 线性电路

ICM 微辅助电路

LM 美国国家半导体替代元件

温度

C 民品 0℃ -- +70℃

I 工业品 -25℃ -- +85℃

　 　 或 -45℃ -- +85℃

M 军品 -55℃ --+125℃

5. 智能电源 ( IP 智能电源)

H IP 2 50 0 I P

“IP”表示-------产品系列

“2”表示-------拓朴

“50”表示-------电压

“I”表示-------温度范围

“P”表示-------封装形式

拓朴

0 低边路开关

1 高边路开关

2 半桥

3 直流/交流转换器

4 满桥

5 稳压器/电源供应

6 保护电路

9 特殊功能

温度范围 A 汽车工业 -40℃ --+105℃ C 民品 0℃ -- +70℃ I 工业品 -40℃ -- +85℃ M 军品 -55℃ --+125℃

6. 特殊模拟电路

H FA 1100 1 -B

“FA”表示------- 产品系列

“1”表示-------温度范围

“-B”表示-------封装形式

温度范围 C 民品 0℃ -- +75℃ I 工业品 -40℃ -- +85℃ M 军品 -55℃ --+125℃

管芯、大圆片的尾缀标识 Y 管芯

7. H I 3 7151 -5

“I”表示-------族

“3”表示------- 封装形式

“-5”表示-------温度范围

产品系列:

A 模拟电路

C 通讯电路

D 数字电路

I 界面

M 存储器

PL 程序逻辑电路

S 军用/航天

温度范围 1 -55℃ --+200℃ 2 -55℃ --+125℃ 4 -25℃ -- +85℃ 5 0℃ -- +75℃ 6 +25℃下100%探针测试,仅限于管芯 7 0℃ -- +75℃ 　 96小时老化 8 程序,HI-REL处理 9 -40℃ -- +85℃ 9+ -40℃ -- +85℃ 　 并通过老化实验

8. 数字转换器

CA 3306 A E

“3306”表示-------元件型号

“A”表示-------电参数选择

“E”表示-------封装形式

管芯、大圆片的尾缀标识

H 管芯

9. ICL 7115 J C D L

“ICL”表示-------族

“J”表示-------电参数选择

“C”表示-------温度范围

“D”表示-------封装形式

“L”表示-------引脚数量

族

AD 模拟器件替代产品

ADC 美国国家半导体器件替代品

DG 硅替代品

ICL 线性电路

ICM 微辅助电路

IH 模拟开关系列电路

IM 微控制电路

温度范围 C 民品 0℃ -- +70℃ I 工业品 -25℃ -- +85℃ 　 　 或 -40℃ -- +85℃ 　 　 具体以目录为准 M 军品 -55℃ --+125℃

管芯、大圆片的尾缀标识 D 管芯 W 大圆片

10. 模拟开关和模拟多路转换器

HI 0 0506 -5

“HI”表示-------产品系列

“0”表示-------封装形式

“-5”表示-------温度范围

产品系列

HI

温度范围 -2 -55℃ --+125℃ -4 -25℃ -- +85℃ -5 -25℃ -- +85℃ -6 0℃ -- +75℃ -8 25℃下管芯探针测试 -9 -40℃ -- +85℃ 883 军标

管芯、大圆片的尾缀标识 0 管芯

11. 80CXXX微处理器

M D 80C86 -2 /B /883

“M”表示-------温度范围

“D”表示-------封装形式

“-2”表示-------速度

“/B”表示--------55℃-+125℃老化

“/883”表示-------883REVC测试

温度范围 C 0℃ -- +70℃ I -40℃ -- +85℃ M -55℃ --+125℃ X +25℃

速度

A. 处理器 空白 5MHZ 2 8MHZ -12 12MHZ -25 25MHZ

B. 辅助器 5 5MHZ 空白 8MHZ

12. 存储器

H M 0 65162 B

“M”表示-------产品系列

“O”表示-------封装形式

“B”表示-------性能等级

“-9”表示-------温度范围

温度范围 2 -55℃ --+125℃ 5 0℃ -- +75℃ 6 25℃下100%探针测试 　 （仅限于管芯） 8 -55℃ --+125℃老化测试 9 -40℃ -- +85℃老化测试 /883 全面按MIL-STD-883测试

等级

B 高性能

C 普通

X 非常高速度

管芯、大圆片的尾缀标识

0 管芯

13．CD 6264 A D

“A”表示-------修订本

“D”表示-------封装形式

管芯、大圆片的尾缀标识

H 管芯

修订本

A 第一次

B 第二次

14．CA300线性系列电路

CA 3130 T /3

“T”表示-------封装形式

“/3”表示-------可靠性筛选等级

15．CD4000逻辑电路

CD4000B F S R

“F”表示-------封装形式

“S”表示-------等级

“R”表示-------保险等级

16．CD4000 MIL-STD-883

CD 4000B D MS H

“D”表示-------封装形式

“MS”表示-------稳定性筛选

“H”表示-------保险等级